SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE

• Main Authors: NODA TOSHIFUMI, TANIGUCHI YASUHIRO, KASAI HIDEO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 13.01.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

To provide a semiconductor storage device capable of suppressing a leakage current at a time of data writing.SOLUTION: A plurality of anti-fuse memories M are arranged in a matrix shape in a semiconductor storage device 1. The anti-fuse memory M includes a memory capacitor 10 and a MOS transistor 20. In the memory capacitor 10, a memory gate electrode 10a is connected to a source region 20b of the MOS transistor 20, and a diffusion region 10b is connected to a source line SL for each column. A gate electrode 20a of the MOS transistor 20 is connected to a word line WL for each column, a drain region 20c is connected to a bit line BL for each row, so that independently applied voltage is controlled.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】データ書き込み時のリーク電流を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置１には複数のアンチヒューズメモリＭが行列状に配置されている。アンチヒューズメモリＭは、メモリキャパシタ１０とＭＯＳトランジスタ２０とを有する。メモリキャパシタ１０は、メモリゲート電極１０ａがＭＯＳトランジスタ２０のソース領域２０ｂに接続され、拡散領域１０ｂが列ごとのソース線ＳＬに接続されている。ＭＯＳトランジスタ２０のゲート電極２０ａは、列ごとのワード線ＷＬに接続され、ドレイン領域２０ｃは行ごとのビット線ＢＬに接続されており、独立して印加される電圧が制御される。【選択図】図１