POWER MOS FET WITH DEEP SOURCE CONTACT

• Main Authors: LIN FUREN, LIN HAIAN, LARK LIU, SONG WEI, FRANK BAIOCCHI, LIU YUNLONG, ZHAO ZIQIANG
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 16.12.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a power MOSFET IC device including an array of MOSFET cells formed on a semiconductor substrate.SOLUTION: An array of MOSFET cells includes an internal region of an internal MOSFET cell 300A and an ending region of the cell array, and each internal MOSFET cell in the internal region of the array includes a pair of internal MOSFET devices coupled to each other by a common drain contact 314. Each internal MOSFET device includes a source contact trench (SCT) extending into a substrate contact region of a semiconductor substrate. The SCT trench has a length 303 shorter than a linear part 310A of a polysilicon gate 312 of the internal MOSFET device, and the SCT trench is aligned with the polysilicon gate 312 having curve layout geometry.SELECTED DRAWING: Figure 3A 【課題】半導体基板において形成されるＭＯＳＦＥＴセルのアレイを含むパワーＭＯＳＦＥＴ ＩＣデバイスを提供する。【解決手段】ＭＯＳＦＥＴセルのアレイは、内部ＭＯＳＦＥＴセル３００Ａの内部領域、及びセルアレイの終焉領域を含み、アレイの内部領域の各内部ＭＯＳＦＥＴセルは、共通ドレインコンタクト３１４において互いに結合される一対の内部ＭＯＳＦＥＴデバイスを含む。各内部ＭＯＳＦＥＴデバイスは、半導体基板の基板コンタクト領域内へ延在するソースコンタクトトレンチ（ＳＣＴ）を含む。ＳＣＴトレンチには、内部ＭＯＳＦＥＴデバイスのポリシリコンゲート３１２の線形部３１０Ａより短い長さ３０３が提供され、ＳＣＴトレンチは、曲線レイアウトジオメトリを有するポリシリコンゲート３１２と整合される。【選択図】図３Ａ