SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE

• Main Authors: HASHIMOTO TOSHIFUMI, SATO JUNPEI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 04.11.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a semiconductor storage device with small variation in wiring resistance.SOLUTION: A semiconductor storage device includes a semiconductor substrate, a plurality of memory blocks apart from the semiconductor substrate in a first direction intersecting with a surface of the semiconductor substrate and arranged in a second direction intersecting with the first direction, a first wire farther from the semiconductor substrate than the memory blocks, a second wire closer to the semiconductor substrate than the memory blocks, a first contact electrically connected between the first wire and the second wire, a first transistor provided on the semiconductor substrate and electrically connected between the second wire and a first memory block among the memory blocks, and a second transistor provided on the semiconductor substrate and electrically connected between the second wire and a second memory block among the memory blocks. The first contact is provided between the first transistor and the second transistor in the second direction.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】配線抵抗のばらつきが小さい半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板、半導体基板の表面と交差する第１方向において半導体基板から離間し第１方向と交差する第２方向に並ぶ複数のメモリブロック、複数のメモリブロックよりも半導体基板から遠い第１配線、複数のメモリブロックよりも半導体基板に近い第２配線、第１配線及び第２配線の間に電気的に接続された第１コンタクト、半導体基板に設けられ上記複数のメモリブロックのうちの第１メモリブロックと第２配線との間に電気的に接続された第１トランジスタ、並びに、半導体基板に設けられ上記複数のメモリブロックのうちの第２メモリブロックと第２配線との間に電気的に接続された第２トランジスタを備える。第１コンタクトは、第２方向において、第１トランジスタと第２トランジスタとの間に設けられている。【選択図】図３