QUANTUM CASCADE LASER ELEMENT AND QUANTUM CASCADE LASER DEVICE

• Main Authors: SUGIYAMA ATSUSHI, FURUTA SHINICHI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 11.10.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

To provide a quantum cascade laser element in which the heat dissipation can be improved and the oscillation in a higher mode can be suppressed.SOLUTION: A quantum cascade laser element 1 includes: a semiconductor substrate 2; a semiconductor laminate 3 including a ridge part 30; an embedded layer 4 including a first part 41 formed on a side surface 30b of the ridge part 30 and a second part 42 extending from the first part 41 along a width direction of the semiconductor substrate 2; and a metal layer 61 formed on at least a top surface 30a of the ridge part 30 and the first part 41. A surface 41b of the first part 41 on the opposite side to the ridge part 30 includes: a first inclined surface 43 inclined with respect to a side surface 30b of the ridge part 30 so as to go away from the side surface 30b as the surface goes away from the semiconductor substrate 2; and a second inclined surface 44 inclined with respect to a center line CL of the ridge part 30 so as to get close to the center line CL as the surface goes away from the semiconductor substrate 2. The metal layer 61 extends over the first inclined surface 43 and the second inclined surface 44.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】放熱性の向上及び高次モードの発振の抑制を図ることができる量子カスケードレーザ素子を提供する。【解決手段】量子カスケードレーザ素子１は、半導体基板２と、リッジ部３０を有する半導体積層体３と、リッジ部３０の側面３０ｂ上に形成された第１部分４１、及び、第１部分４１から半導体基板２の幅方向に沿って延在する第２部分４２を有する埋め込み層４と、少なくともリッジ部３０の頂面３０ａ及び第１部分４１上に形成された金属層６１と、を備える。第１部分４１におけるリッジ部３０とは反対側の表面４１ｂは、半導体基板２から離れるにつれてリッジ部３０の側面３０ｂから離れるように側面３０ｂに対して傾斜した第１傾斜面４３と、半導体基板２から離れるにつれてリッジ部３０の中心線ＣＬに近づくように中心線ＣＬに対して傾斜した第２傾斜面４４と、を有する。金属層６１は、第１傾斜面４３及び第２傾斜面４４上にわたって延在している。【選択図】図１