EVALUATION METHOD OF AVALANCHE PHOTODIODE

To provide an evaluation method of avalanche photodiode capable of evaluating uniformity in multiplication factor of the avalanche photodiode.SOLUTION: The evaluation method of avalanche photodiode includes: measuring temperature distribution of an avalanche photodiode with reverse bias voltage gene...

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Main Authors OTSUKI TAKASHI, INOUE KOICHI, SASAKI HAJIME, ISHIMURA EITARO, KADOIWA KAORU
Format Patent
LanguageEnglish
Japanese
Published 13.09.2021
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
MEASURING
MEASURING ELECTRIC VARIABLES
MEASURING MAGNETIC VARIABLES
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
TESTING
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Summary:To provide an evaluation method of avalanche photodiode capable of evaluating uniformity in multiplication factor of the avalanche photodiode.SOLUTION: The evaluation method of avalanche photodiode includes: measuring temperature distribution of an avalanche photodiode with reverse bias voltage generating magnification being applied to the avalanche photodiode; and calculating magnification distribution of the avalanche photodiode from the temperature distribution.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】本開示は、アバランシェフォトダイオードの増倍率の均一性を評価することができるアバランシェフォトダイオードの評価方法を提供することを目的とする。【解決手段】本開示に係るアバランシェフォトダイオードの評価方法は、アバランシェフォトダイオードに増倍が生じる逆バイアス電圧を印加した状態で該アバランシェフォトダイオードの温度分布を測定することと、該温度分布から該アバランシェフォトダイオードの増倍率分布を算出することと、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
Bibliography:Application Number: JP20200029135