ETCHING SOLUTION FOR SELECTIVELY REMOVING SILICON NITRIDE DURING MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: LEE YIIA, LIU WEN DAR
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 09.09.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide an improved etching solution that has high selectivity for silicon nitride over silicon oxide.SOLUTION: An etching solution comprises water, phosphoric acid solution (aqueous), and a hydroxyl group-containing solvent. The etching solution can be used for selective etching removal of silicon nitride over silicon oxide from a microelectronic device having silicon dioxide and silicon oxide thereon during manufacture of the microelectronic device. The etch selectivity is from about 50 to about 500.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】酸化ケイ素に対する窒化ケイ素の高い選択性を有する改善したエッチング溶液を提供する。【解決手段】水と、リン酸溶液（水性）と、ヒドロキシル基含有溶媒とを含むエッチング溶液であって、エッチング溶液を用いて、マイクロ電子デバイスの製造中、その上に二酸化ケイ素及び酸化ケイ素を有するマイクロ電子デバイスから、酸化ケイ素に対して窒化ケイ素を選択的にエッチング除去することができる。エッチング選択比は、約５０〜約５００である。【選択図】図１