SPUTTERING TARGET
To provide a sputtering target which allows suppression of contamination of a fluorine element being an impurity in the sputtering target, suppression of generation of an abnormal discharge due to fluorine when a thin film is formed by using the sputtering target, and formation of a thin film having...
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Format | Patent |
Language | English Japanese |
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29.07.2021
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Summary: | To provide a sputtering target which allows suppression of contamination of a fluorine element being an impurity in the sputtering target, suppression of generation of an abnormal discharge due to fluorine when a thin film is formed by using the sputtering target, and formation of a thin film having a good orientation.SOLUTION: A sputtering target includes aluminum, and one or both of a rare earth element and a titanium group element. The content of fluorine is 100 ppm or less.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】本開示の目的は、スパッタリングターゲット中において不純物であるフッ素元素の混入を抑制したスパッタリングターゲットであって、当該スパッタリングターゲットを用いて薄膜を形成したときにフッ素による異常放電の発生を抑制し、配向性の良い薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供することである。【解決手段】本開示のスパッタリングターゲットは、アルミニウムを含み、かつ、希土類元素及びチタン族元素のいずれか一方又は両方をさらに含むスパッタリングターゲットであって、フッ素の含有量が100ppm以下であることを特徴とする。【選択図】図1 |
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Bibliography: | Application Number: JP20200105166 |