RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING METHOD

• Main Authors: GOHARA MASARU, ONISHI KOSHI, MICHIBAYASHI NOBUHIRO, IKEDA TAKUYA, SHIOSAKI MASAHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 15.07.2021
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

To provide a resist composition having good sensitivity and fine resolution, and a resist pattern forming method.SOLUTION: The resist composition contains: a base component (A) whose solubility in a developer changes by the action of an acid; and a compound (D0) represented by general formula (d0). In the formula, Rd1 is an aryl group having an electron-withdrawing group; Rd2 and Rd3 each independently represent an aryl group, an alkyl group or an alkenyl group which may have a substituent; Rd2 and Rd3 may be bonded to each other to form a ring together with a sulfur atom in the formula (excluding a ring structure formed via -C(=O)-); Rd0 is a monovalent organic group; Xd0 is -O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-, -C(=O)-O-, -S- or -SO2-; and Yd0 is an optionally substituted divalent hydrocarbon group or a single bond.SELECTED DRAWING: None 【課題】感度及び微細解像性が良好なレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、一般式（ｄ０）で表される化合物（Ｄ０）と、を含有するレジスト組成物。式中、Ｒｄ１は、電子求引性基を有するアリール基である。Ｒｄ２及びＲｄ３は、それぞれ独立に置換基を有してもよいアリール基、アルキル基またはアルケニル基を表す。Ｒｄ２及びＲｄ３は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい（但し、−Ｃ（＝Ｏ）−を介して形成する環構造は除く）。Ｒｄ０は、１価の有機基である。Ｘｄ０は、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ−、又は−ＳＯ２−である。Ｙｄ０は、置換基を有してもよい２価の炭化水素基又は単結合である。［化１］【選択図】なし