LIGHT RECEIVING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: ISHII EIKO, SOEJIMA SHIGEMASA, KIGAMI MASAHITO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 20.05.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a light receiving element that uses a germanium layer as a light receiving layer, and can suppress a leakage current in the dark state.SOLUTION: A light receiving element 1 includes a silicon substrate 10 on which an N-type junction barrier region 12 and a P-type region 11 are formed on the surface, and in which the P-type region 11 is arranged so as to face at least one direction in the in-plane direction with the N-type junction barrier region 12 in between, a germanium layer 30 provided on the surface of the silicon substrate 10 and in contact with the N-type junction barrier region 12 and the P-type region 11, a cathode electrode 50 that is electrically connected to the N-junction barrier region 12, and an anode electrode 40 electrically connected to the P-shaped region.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ゲルマニウム層を受光層とする受光素子で、暗状態のリーク電流を抑えられる受光素子を提供する。【解決手段】受光素子１は、Ｎ型ジャンクションバリア領域１２とＰ型領域１１が表面に形成されているシリコン基板１０であって、Ｐ型領域１１はＮ型ジャンクションバリア領域１２を間に置いて面内方向の少なくとも一方向に対向するように配置されている、シリコン基板１０と、シリコン基板１０の表面上に設けられており、Ｎ型ジャンクションバリア領域１２とＰ型領域１１に接しているゲルマニウム層３０と、Ｎ型ジャンクションバリア領域１２に電気的に接続されているカソード電極５０と、Ｐ型領域に電気的に接続されているアノード電極４０と、を備えている。【選択図】図１