SINGLE RING DESIGN FOR HIGH YIELD, SUBSTRATE EXTREME EDGE DEFECT REDUCTION IN ICP PLASMA PROCESSING CHAMBER

• Main Authors: LANE ADAM, DAO HUUTRI, NG SIU TANG, LEE CHANGHUN, WILLWERTH MICHAEL D
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 30.04.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a single ring process kit for use in a plasma processing chamber, comprising a circular ring-shaped body with an inner surface, closest in proximity to a centerline of the body, and an outer surface opposite the inner surface.SOLUTION: In a plasma processing chamber, a ring body of a cover ring 130 has a bottom (an outer bottom 304 and an inner bottom 314) with an isolator key 305 formed therein, and a top 210 with an outer end 240, adjacent to an outer surface, and an inner end 220, adjacent to a slope extending towards a centerline down to a step on an inner surface. The ring body has a lip 225, which is disposed on the inner surface extending out from a vertical face below the step toward the centerline of the ring body, and is configured to support a substrate thereon. The ring body is sized such that a gap less than about 2 mm is formed on the lip between the substrate and a vertical wall 303 of the step.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】本体の中心線に近接して最も近い内面と、内面と反対側の外面を有する円形リング状本体を含む、プラズマ処理チャンバ内で使用するための単一リングプロセスキットを提供する。【解決手段】プラズマ処理チャンバにおいて、カバーリング１３０のリング本体は、内部に形成されたアイソレータキー３０５を有する底部（外側底部３０４，内側底部３１４）と、外面に隣接する外側端部２４０及び中心線に向かって内面の段差まで下って延びる斜面に隣接する内側端部２２０を有する上部２１０を有する。リング本体は、段差の下の垂直面から本体の中心線に向かって延出する内面上に配置され、上で基板を支持するリップ２２５を有する。リング本体は、基板と段差の垂直壁３０３の間のリップ上に約２ｍｍ未満のギャップを形成するような大きさである。【選択図】図３