VERTICAL MEMORY DEVICE

• Main Authors: KANG SHIN-HWAN, KANAMORI KOJI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 30.04.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a vertical memory device with improved electric characteristics.SOLUTION: A vertical memory device may include gate electrodes stacked stepwise apart from each other on a substrate along a first direction perpendicular to an upper surface of the substrate, a channel penetrating the gate electrodes and extending in the first direction, a first contact plug penetrating a pad of a first gate electrode corresponding to one of the gate electrodes, being in contact with an upper surface thereof, and penetrating at least a part of a second gate electrode formed right below the first gate electrode, a first spacer formed between the first contact plug and the opposite side wall of the first and second gate electrodes and insulating between the first contact plug and the second gate electrode, and a first embedded pattern containing an insulating material in contact with a bottom surface of the first contact plug and the first spacer.SELECTED DRAWING: Figure 46 【課題】 改善された電気的特性を有する垂直型メモリ装置を提供する。【解決手段】 垂直型メモリ装置は、基板の上面に垂直な第１方向に沿って前記基板上に互いに離隔して階段形状に積層されたゲート電極、前記ゲート電極を貫通して前記第１方向に延びたチャネル、前記ゲート電極のうちの１つである第１ゲート電極のパッドを貫通し、その上面に接触し、前記第１ゲート電極の真下層に形成された第２ゲート電極の少なくとも一部を貫通する第１コンタクトプラグ、前記第１コンタクトプラグとこれに対向する前記第１及び第２ゲート電極の側壁の間に形成されて前記第１コンタクトプラグと前記第２ゲート電極を絶縁させる第１スペーサー、及び前記第１コンタクトプラグ及び前記第１スペーサーの底面に接触し、絶縁物質を含む第１埋込パターンを備えることができる。【選択図】 図４６