SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: FUKUI YUTAKA, SUGAWARA KATSUTOSHI, KAGAWA YASUHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 25.03.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To improve a proof pressure ability of a semiconductor device comprising a trench type switching element and a current sense element.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a trench type switching element formed in an active region 101; and a trench type current sense element formed in a current sense region 102. Protective layers 8a, 8b, and 8c are formed, respectively, at lower parts of a trench 5a into which a gate electrode 7a of the switching element is embedded, a trench 5b into which a gate electrode 7b of the current sense element is embedded, and a trench 5c which is formed at a boundary part of the active region 101 and the current sense region 102. The protective layer 8c of the boundary part of the active region 101 and the current sense region 102, includes a divided part 15 divided in a direction directed to the current sense region 102 from the active region 101.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】トレンチ型のスイッチング素子および電流センス素子を備える半導体装置の耐圧能力を向上させる。【解決手段】半導体装置は、活性領域１０１に形成されたトレンチ型のスイッチング素子と、電流センス領域１０２に形成されたトレンチ型の電流センス素子とを備える。スイッチング素子のゲート電極７ａが埋め込まれたトレンチ５ａ、電流センス素子のゲート電極７ｂが埋め込まれたトレンチ５ｂ、および、活性領域１０１と電流センス領域１０２との境界部分に形成されたトレンチ５ｃの下方には、それぞれ保護層８ａ，８ｂ，８ｃが形成されている。活性領域１０１と電流センス領域１０２との境界部分の保護層８ｃは、活性領域１０１から電流センス領域１０２へ向かう方向に分断された分断部１５を有している。【選択図】図１