LIGHT RECEIVING ELEMENT

• Main Authors: ISHII EIKO, SOEJIMA SHIGEMASA, KIGAMI MASAHITO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 04.03.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a hetero junction photo diode capable of avalanche amplification.SOLUTION: This light receiving element includes a current path reaching a second electrode from a first electrode through a light absorbing layer formed by a P-type narrow gap semiconductor and a p-type narrow gap semiconductor, a first N-type silicon, and a second N-type silicon in this order. The first P-type silicon and the light absorbing layer are in contact with the first N-type silicon. The second N-type silicon is segregated from the first N-type silicon by the second P-type silicon. The first electrode is connected with the second N-type silicon. Synthetic capacitance of a first electrostatic capacity between the first P-type silicon and the first N-type silicon and a second electrostatic capacity between the light absorbing layer and the first N-type silicon is larger than third electrostatic capacitance between the second P-type silicon and the second N-type silicon.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】アバランシェ増幅可能なヘテロ接合フォトダイオードを提供する。【解決手段】受光素子は、第１電極から、第１のＰ型シリコン、Ｐ型ナローギャップ半導体で形成された光吸収層、第１のＮ型シリコン、第２のＰ型シリコン、第２のＮ型シリコンをこの順に経由して第２電極へ至る電流経路を備えている。第１のＰ型シリコンおよび光吸収層は第１のＮ型シリコンと接している。第２のＮ型シリコンは第２のＰ型シリコンによって第１のＮ型シリコンから隔離されている。第１電極は第１のＰ型シリコンに接続している。第２電極は第２のＮ型シリコンに接続している。第１のＰ型シリコンと第１のＮ型シリコンとの間の第１の静電容量、および、光吸収層と第１のＮ型シリコンとの間の第２の静電容量の合成容量は、第２のＰ型シリコンと第２のＮ型シリコンとの間の第３の静電容量よりも大きい。【選択図】図１