SEMICONDUCTOR LASER

• Main Authors: ANDREAS LOEFFLER, ALFRED LELL, EICHLER CHRISTOPH, CLEMENS VIERHEILIG, SVEN GERHARD
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 26.11.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

To provide a high-power, and high-efficiency semiconductor laser.SOLUTION: A p-contact layer 3 which is transparent to laser radiation and is made of a transparent conductive oxide is located in direct contact with a p-region 23 for current input. A conductive and metallic p-contact structure 4 is placed directly on the p-contact layer. The p-contact layer is a part of a coating layer, and therefore, laser emission intentionally enters the p-contact layer during operation of the semiconductor laser. The two surfaces of a semiconductor laminate form a resonator end faces for laser emission. The current input to the p-region is suppressed in at least one of a current protection region 5 that is in direct contact with at least one surface. The dimension of the current protection region in the direction perpendicular to the associated plane is 0.5 μm or more to 100 μm or less, and equal to or less than 20% of the cavity length for laser emission.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】高出力、高効率の半導体レーザを提供する。【解決手段】レーザ放射に対して透過性で、透明導電性酸化物からなるｐコンタクト層３が、電流入力のためにｐ領域２３に直に接して位置している。導電性かつ金属製ｐコンタクト構造４が、ｐコンタクト層に直接載置されている。ｐコンタクト層は被覆層の一部であって、したがって半導体レーザの動作時に、レーザ放射が意図してｐコンタクト層に進入する。半導体積層体の２つの面が、レーザ放射のための共振器端面を形成している。ｐ領域への電流入力は、少なくとも１つの面に直に接している電流防護領域５の少なくとも１つにおいて抑制されている。関連づけられた面に垂直に延びる方向における、電流防護領域の寸法は、０．５μｍ以上１００μｍ以下で、かつレーザ放射のための共振器長の２０％以下である。【選択図】図１