THERMAL TREATMENT APPARATUS AND THERMAL TREATMENT METHOD

• Main Authors: SUENAGA SATOSHI, FURUKAWA MASAAKI, HAYASHI MEGUMI, GOTO SHIGEHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 10.09.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a thermal treatment apparatus capable of highly accurately deciding a support state of a wafer during thermal treatment so as to grasp uniformity of the thermal treatment to the wafer, and a thermal treatment method.SOLUTION: A thermal treatment plate 10 comprises a placing surface 10s. On the placing surface 10s, multiple supports 11 are provided so as to support a bottom face of a wafer W. The thermal treatment plate 10 further comprises a heating element 20. The heating element 20 applies thermal treatment to the wafer W supported on the placing surface 10s. A gas in a support space SS between the wafer W supported on the placing surface 10s and the placing surface 10s is sucked by a suction device 40. At such a time, a pressure in the support space SS is detected by a pressure sensor 43. A support state of the wafer W is decided based on the detected pressure. The suction by the suction device 40 is stopped from the lapse of an initial predetermined period of the thermal treatment to the wafer W to the end of the thermal treatment.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】基板に対する熱処理の均一性を把握することができるように熱処理時における基板の支持状態を高い精度で判定することを可能にする熱処理装置および熱処理方法を提供する。【解決手段】熱処理プレート１０は、載置面１０ｓを有する。載置面１０ｓ上には、基板Ｗの下面を支持可能に複数の支持体１１が設けられている。熱処理プレート１０には、さらに発熱体２０が設けられている。発熱体２０は、載置面１０ｓ上で支持された基板Ｗに熱処理を行う。載置面１０ｓ上で支持された基板Ｗと載置面１０ｓとの間の支持空間ＳＳの気体が、吸気装置４０により吸引される。このとき支持空間ＳＳの圧力が圧力センサ４３により検出される。検出された圧力に基づいて基板Ｗの支持状態が判定される。吸気装置４０による吸引は、基板Ｗへの熱処理の初期の所定期間の経過時点から熱処理の終了までの間に停止される。【選択図】図１