SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: SHIOZAKI KOJI, SHIRAISHI KENJI, OSAGAWA KENTA, NARITA TETSUO, KIKUTA DAIGO, KAJI TORU
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 20.08.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a semiconductor device capable of suppressing a variation in gate threshold voltage and increasing a dielectric constant.SOLUTION: The semiconductor device has a gate insulating film provided on a nitride semiconductor. The gate insulating film includes: a first gate insulating layer provided on the nitride semiconductor, and containing aluminum oxide and silicon oxide; and a second gate insulating layer provided on the first gate insulating layer, and containing aluminum oxide and silicon oxide, in which a second mixing ratio of silicon atoms in a sum of silicon atoms and aluminum atoms in the second gate insulating layer is smaller than a first mixing ratio of silicon atoms in a total sum of silicon atoms and aluminum atoms in the first gate insulating layer.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ゲート閾値電圧の変動を抑制し、かつ、誘電率を高めることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、窒化物半導体上に設けられたゲート絶縁膜を有する。ゲート絶縁膜は、窒化物半導体上に設けられており、酸化アルミニウムと酸化シリコンとを含む第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上に設けられている第２のゲート絶縁層であって、酸化アルミニウムと酸化シリコンとを含み、第２のゲート絶縁層におけるシリコン原子とアルミニウム原子の総和におけるシリコン原子の第２の混合比が、第１のゲート絶縁層におけるシリコン原子とアルミニウム原子の総和におけるシリコン原子の第１の混合比よりも小さい、第２のゲート絶縁層と、を備える。【選択図】図１