SILVER-DOPED PHOTOVOLTAIC DEVICES AND PRODUCTION METHODS THEREOF

• Main Authors: ANDREI LOS, ZHAO ZHIBO, KENNETH RING, WILLIAM H HUBER, PENG HONGYING, MARKUS GLOECKLER, LIAO FENG, GOPAL MOR
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 25.06.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide photovoltaic devices containing Groups II to VI semiconductors, such as cadmium, zinc, tellurium and selenium and production methods of the photovoltaic devices.SOLUTION: A photovoltaic device 100 comprises a semiconductor absorber layer 120 disposed between a front contact 110 and a back contact 125. The absorber layer comprises cadmium, selenium, and tellurium doped with Ag, and optionally with Cu. The Ag dopant may be added to the absorber in amounts ranging from 5×10/cmto 2.5×10/cmvia any of several methods of application before, during, or after deposition of the absorber layer. The photovoltaic device has improved Fill Factor and Pat a higher P(=Product of Iand V) value (e.g. about 160 W), which results in an improved conversion efficiency.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】カドミウム、亜鉛、テルル、およびセレンのようなII-VI半導体を含む光起電力デバイス、およびこの光起電力デバイスを製造する方法を提供する。【解決手段】光起電力デバイス１００は、フロント接点１１０とバック接点１２５の間に配置された半導体の吸収体層１２０を含む。吸収体層はＡｇでドープされたカドミウム、セレン、およびテルルを含み、任意にＣｕでドープされている。Ａｇドーパントは、吸収体層を堆積する前に、堆積している間に、または堆積した後に、幾つかの方法のいずれかによって５×１０１５/ｃｍ３から２．５×１０１７/ｃｍ３までの範囲の量で吸収体に添加することができる。光起電力デバイスは、より高いＰＴ（＝ＩＳＣ・ＶＯＣの積）の値（例えば、約１６０Ｗ）において改善された曲線因子およびＰＭＡＸを有し、改善された変換効率がもたらされる。【選択図】図２