ATOMIC LAYER DEPOSITION OF PROTECTIVE COATINGS FOR SEMICONDUCTOR PROCESS CHAMBER COMPONENTS

• Main Authors: DAVID FENWICK, SUN JENNIFER Y
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 25.06.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

To provide a method for preparing a protective coating for semiconductor process chamber components using atomic layer deposition (ALD), a multi-component protective coating, and a semiconductor process chamber component coated with a multi-component protective coating.SOLUTION: A multi-component coating composition for a surface of a semiconductor process chamber component comprises at least one first film layer of a yttrium oxide or a yttrium fluoride coated onto the surface of the semiconductor process chamber component using an atomic layer deposition process and at least one second film layer of an additional oxide or an additional fluoride coated onto the surface of the semiconductor process chamber component using an atomic layer deposition process, the multi-component coating composition being selected from the group consisting of YOF, YAlO, YZrO, and YZrAlO.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】原子層堆積（ＡＬＤ）を使用して半導体処理チャンバコンポーネント用の保護コーティングを調製するための方法、多成分保護コーティング、及び多成分保護コーティングでコーティングされた半導体処理チャンバコンポーネントを提供する。【解決手段】半導体処理チャンバコンポーネントの表面用の多成分コーティング組成物であって、原子層堆積プロセスを使用して半導体処理チャンバコンポーネントの表面上にコーティングされた酸化イットリウム又はフッ化イットリウムの少なくとも１つの第１の膜層と、原子層堆積プロセスを使用して半導体処理チャンバコンポーネントの表面上にコーティングされた追加の酸化物又は追加のフッ化物の少なくとも１つの第２の膜層とを含み、多成分コーティング組成物は、ＹＯｘＦｙ、ＹＡｌｘＯｙ、ＹＺｒｘＯｙ、及びＹＺｒｘＡｌｙＯｚからなる群から選択される多成分コーティング組成物。【選択図】図１