METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR

• Main Authors: MIZUKAMI KIYOTAKA, OZAKI MASAYOSHI, KIMURA YU
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 04.06.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To increase adhesion of a through film and a photoresist mask layer.SOLUTION: A method for manufacturing a p-type group III nitride semiconductor comprises steps of: forming, on a substrate 10, a semiconductor layer 11 of n-GaN, a first through film 12 of AlN, a second through film 13 of AlO, and a first mask layer 14 of SiO; then, forming a second mask layer 15 of a photoresist on the first mask layer 14, which has a pattern opened in a region to be subjected to ion implantation, provided that the photoresist contains Si as a constituent element and a photosensitive resin which can endure a temperature of ion implantation in a subsequent step is used as the photoresist; then, etching the first mask layer 14 until the second through film 13 is exposed; then, performing ion implantation of Mg on the semiconductor layer 11 through the first through film 12 and the second through film 13 at a temperature of 500°C or above; then, removing a top layer from the semiconductor layer 11; and then, performing a thermal treatment to activate Mg of the ion implanted region 16 into a p-type semiconductor region 17.SELECTED DRAWING: Figure 7 【課題】スルー膜とフォトレジストからなるマスク層との密着性を高めること。【解決手段】基板１０上に、ｎ−ＧａＮからなる半導体層１１、ＡｌＮからなる第１スルー膜１２、Ａｌ2Ｏ3からなる第２スルー膜１３、ＳｉＯ2からなる第１マスク層１４を形成する。次に、第１マスク層１４上に、イオン注入を行う領域に開口したパターンのフォトレジストからなる第２マスク層１５を形成する。フォトレジストは、Ｓｉを構成元素として含み、後工程のイオン注入時の温度に耐えられる感光性樹脂を用いる。次に、第１マスク層１４を第２スルー膜１３が露出するまでエッチングする。次に、半導体層１１に、第１スルー膜１２、第２スルー膜１３を通して５００℃以上の温度でＭｇをイオン注入する。次に、半導体層１１より上層を除去する。次に、熱処理を行ってイオン注入領域１６のＭｇの活性化を行い、ｐ型半導体領域１７とする。【選択図】図７