MEMORY SYSTEM

To enable the performance of error correction with higher accuracy.SOLUTION: According to one embodiment, a memory system includes a nonvolatile memory and a memory controller. The nonvolatile memory stores an N-dimensional (N is an integer of 2 or more) error correction code. The memory controller...

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Main Author KIBUNE NAOKO
Format Patent
LanguageEnglish
Japanese
Published 26.03.2020
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Summary:To enable the performance of error correction with higher accuracy.SOLUTION: According to one embodiment, a memory system includes a nonvolatile memory and a memory controller. The nonvolatile memory stores an N-dimensional (N is an integer of 2 or more) error correction code. The memory controller performs a first decoding process for an n-dimensional component of the N-dimensional error correction code read from the nonvolatile memory. If the decoding of the error correction code by an m-th decoding process for the n-dimensional component fails, an (m + 1)-th decoding process is performed for the n-dimensional component. After the m-th decoding process is completed, bits that are not corrected by decoding with components other than the n-dimensional component but that are corrected by decoding with the n-dimensional component are changed to corresponding bits out of input data of the m-th decoding process. Using the changed data, the (m + 1)-th decoding process is executed for the n-dimensional component.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】誤り訂正をより高精度に実行可能とする。【解決手段】実施形態のメモリシステムは、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を備える。不揮発性メモリは、N次元(Nは2以上の整数)の誤り訂正符号が記憶される。メモリコントローラは、不揮発性メモリから読み出したN次元の誤り訂正符号のn次元の成分に対して1回目の復号処理を行い、n次元の成分に対してm回目の復号処理により誤り訂正符号の復号に失敗した場合にはn次元の成分に対して(m+1)回目の復号処理を行い、m回目の復号処理が終了した後、m回目の復号処理においてn次元以外の次元の成分による復号で訂正されずにn次元の成分による復号で訂正されたビットを、m回目の復号処理の入力データのうちの対応するビットに変更し、変更されたデータを使用してn次元の成分に対して(m+1)回目の復号処理を実行する。【選択図】図1
Bibliography:Application Number: JP20180173697