SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: ASANO TAKASHI, WAKATSUKI SATOSHI, TAKAHASHI KENSEI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 27.02.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a semiconductor memory device capable of improving the blocking performance of fluorine.SOLUTION: A semiconductor memory device according to an embodiment includes a semiconductor substrate, an insulating layer provided on the semiconductor substrate, a barrier metal layer provided on the insulating layer, an aluminum compound layer provided on the barrier metal layer, an amorphous layer provided on the aluminum compound layer and including a substance that volatilizes by a chemical reaction with fluorine, and a metal layer provided on the amorphous layer.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】フッ素のブロック性能を高めることが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】一実施形態によれば、半導体記憶装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられたバリアメタル層と、バリアメタル層上に設けられたアルミニウム化合物層と、アルミニウム化合物層上に設けられ、フッ素との化学反応で揮発する物質を含むアモルファス層と、アモルファス層上に設けられた金属層と、を備える。【選択図】図１