PARTICLE REMOVAL METHOD FOR SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

• Main Authors: FUKUI SHOGO, GOSHI GENTARO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 13.02.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a technology for a substrate processing apparatus for dehydrating a substrate using a processing fluid in a supercritical state, the technology inhibiting a product substrate from being contaminated by eruption into a processing space of particles adhering to a supply line of the processing fluid.SOLUTION: A particle removal method for a substrate processing apparatus according to the disclosure includes a pressure raising step, a circulation step, and a particle removal step. The pressure raising step raises pressure in a processing space by supplying a cleaned fluid from a first supply line to the processing space in a state of a second on-off valve and a third on-off valve being closed. The circulation step opens the second on-off valve and the third on-off valve after the pressure raising step to supply a processing fluid from a second supply line to the processing space and discharge it from a discharge line. The particle removal step opens and closes the second on-off valve during the pressure raising step to generate a flow of the cleaned fluid resisting pressure in the processing space in the second supply line.SELECTED DRAWING: Figure 9 【課題】超臨界状態の処理流体を用いて基板を乾燥させる基板処理装置において、処理流体の供給ラインに付着したパーティクルが処理空間に噴き出すことによって製品基板が汚染されることを抑制する技術を提供する。【解決手段】本開示による基板処理装置のパーティクル除去方法は、昇圧工程と、流通工程と、パーティクル除去工程とを含む。昇圧工程は、第２開閉弁および第３開閉弁が閉じられた状態で、第１供給ラインから処理空間に清浄化された流体を供給することによって処理空間の圧力を上昇させる。流通工程は、昇圧工程後、第２開閉弁および第３開閉弁を開くことにより、第２供給ラインから処理空間に処理流体を供給して排出ラインから排出する。パーティクル除去工程は、昇圧工程中に、第２開閉弁を開いて閉じることにより、処理空間の圧力に抗する清浄化された流体の流れを第２供給ライン内に生じさせる。【選択図】図９