SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE

• Main Authors: SHIRAKAWA MASANOBU, FUTAYAMA TAKUYA
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 23.01.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

To provide a semiconductor storage device with higher performance.SOLUTION: A semiconductor storage device according to an embodiment comprises a first semiconductor, first and second word lines, and first and second cell transistors. The first semiconductor includes first and second portions. The first word line faces the first portion of the first semiconductor. The second word line faces a second portion of the first word line, sandwiches the first semiconductor between itself and the first word line, and is independently from the first word line. The first cell transistor is formed in a first region including the first portion of the first semiconductor, and connected to the first word line. The second cell transistor is formed in a second region including the second portion of the first semiconductor, connected to the second word line, and includes a first threshold voltage. The first threshold voltage is higher than a first voltage. The first voltage is applied to the second word line during data read from the first cell transistor. The first voltage is zero or has a positive magnitude.SELECTED DRAWING: Figure 14 【課題】 より高性能な半導体記憶装置を提供しようとする。【解決手段】 一実施形態による半導体記憶装置は、第１半導体と、第１および第２ワード線と、第１および第２セルトランジスタを含む。第１半導体は第１部分および第２部分を含む。第１ワード線は、第１半導体の第１部分と面する。第２ワード線は、第１ワード線の第２部分と面し、第１ワード線とともに第１半導体を挟み、第１ワード線とは別個である。第１セルトランジスタは、第１半導体の第１部分を含む第１領域に形成され、第１ワード線と接続されている。第２セルトランジスタは、第１半導体の第２部分を含む第２領域に形成され、第２ワード線と接続され、第１閾値電圧を有する。第１閾値電圧は第１電圧より高く、第１電圧は第１セルトランジスタからのデータのリードの間に第２ワード線に印加され、第１電圧はゼロまたは正の大きさを有する。【選択図】 図１４