SILICON SUBSTRATE ETCHING SOLUTION

• Main Authors: YOO HO SEONG, LEE JUN EUN, JANG PYONG HWA, MOON YOUNG SUN
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 09.01.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide: a silicon substrate etching solution that can increase a selection ratio between a silicon nitride film and a silicon oxide film by using a silicon additive; and a silicon substrate etching solution that can prevent a silicon additive from degrading and discoloring at high temperature by using a silicon additive having high high-temperature safety.SOLUTION: A silicon substrate etching solution comprises: phosphoric acid; and a silicon additive comprising at least one of compounds represented by a prescribed first chemical formula (chemical formula 1 herein) and a prescribed second chemical formula (chemical formula 2 herein).SELECTED DRAWING: None 【課題】本発明は、シリコン添加剤を使用することにより、シリコン酸化膜対シリコン窒化膜に対する選択比を上げることができるシリコン基板エッチング溶液を提供することを目的とする。また、本発明は、高温安全性の高いシリコン添加剤を使用することで、高温でシリコン添加剤が分解されて変色することを防止できるシリコン基板エッチング溶液を提供することを目的とする。【解決手段】リン酸及び所定の第１の化学式（明細書中の化１）及び所定の第２の化学式（明細書中の化２）で表される化合物のうち少なくとも一つを含むシリコン添加剤を含むシリコン基板エッチング溶液が提供される。【選択図】なし