PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT

• Main Authors: TANAKA YUJI, SUZUKI SHIGEYO, KANEI NAOMICHI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 05.12.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a photoelectric conversion element having a high photoelectric conversion efficiency even if the case of a weak irradiation light (from 50 lux to 300 lux) such as an indoor light.SOLUTION: A photoelectric conversion element is structured by having: a first electrode 2 having a non-light transmissivity, and structured by a metal; a hole blocking layer 3 installed on the first electrode; an electron transport layer 4 installed on the hole blocking layer; a hole transport layer 6 installed on the electron transport layer; and a second electrode 7 having a light transmissivity installed on the hole transport layer. The hole blocking layer contains a metal oxidation in the first electrode, and the hole transport layer contains a hole transport material of spiro-OMeTAD, having a spirobifluorene skeleton.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】室内光等の微弱な照射光（５０ルクスから３００ルクス）の場合であっても、高い光電変換効率を有する光電変換素子を提供する。【解決手段】非透光性を有し、かつ金属により構成されている第一の電極２と、第一の電極の上に設けられたホールブロッキング層３と、ホールブロッキング層の上に設けられた電子輸送層４と、電子輸送層の上に設けられたホール輸送層６と、ホール輸送層の上に設けられた透光性を有する第二の電極７と、を有してなり、ホールブロッキング層が、第一の電極における金属の酸化物を含み、ホール輸送層が、スピロビフルオレン骨格を有するｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤのホール輸送材料を含む。【選択図】図１