SEMICONDUCTOR DEVICE

To reduce inductance in a semiconductor device having a plurality of semiconductor modules.SOLUTION: A semiconductor device comprises a first semiconductor module and a second semiconductor module. The first semiconductor module comprises: a first semiconductor element; a first sealing body for seal...

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Main Author KAWASHIMA TAKAYOSHI
Format Patent
LanguageEnglish
Japanese
Published 21.11.2019
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Summary:To reduce inductance in a semiconductor device having a plurality of semiconductor modules.SOLUTION: A semiconductor device comprises a first semiconductor module and a second semiconductor module. The first semiconductor module comprises: a first semiconductor element; a first sealing body for sealing the first semiconductor element; and a first power terminal and a second power terminal connected to the first semiconductor element in the first sealing body and extending out of the first sealing body. The second semiconductor module comprises: a second semiconductor element; a second sealing body for sealing the second semiconductor element; and a third power terminal and a fourth power terminal connected to the second semiconductor element in the second sealing body and extending out of the second sealing body. Outside the first sealing body and the second sealing body, the first power terminal and the fourth power terminal extend opposite to each other and the second power terminal and the third power terminal extend opposite to each other.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】 複数の半導体モジュールを備える半導体装置においてインダクタンスを低減する。【解決手段】 半導体装置は、第1半導体モジュールと第2半導体モジュールとを備える。第1半導体素子は、第1半導体素子と、第1半導体素子を封止する第1封止体と、第1封止体の内部において第1半導体素子に接続されているとともに第1封止体の外部へ延びる第1電力端子及び第2電力端子とを有する。第2半導体モジュールは、第2半導体素子と、第2半導体素子を封止する第2封止体と、第2封止体の内部において第2半導体素子に接続されているとともに第2封止体の外部へ延びる第3電力端子及び第4電力端子とを有する。第1封止体及び第2封止体の外部では、第1電力端子と第4電力端子とが互いに対向しながら延びており、第2電力端子と第3電力端子とが互いに対向しながら延びている。【選択図】図1
Bibliography:Application Number: JP20180093955