SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

• Main Authors: HAYASHI MASAYUKI, TAKEAKI REI, OTA TAKASHI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 24.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of suppressing a change in the processing rate between a plurality of substrates.SOLUTION: A substrate processing method includes a temperature adjustment step S2 and a processing step S3. In the temperature adjustment step S2, a fluid FL is supplied to a substrate holding unit 7 that holds and rotates a substrate W, and the temperature of the substrate holding unit 7 is adjusted. In the processing step S3, the substrate W is processed with a processing liquid. The substrate holding unit 7 includes a rotating spin base 71 and a plurality of chuck members 70. The plurality of chuck members 70 are provided on the spin base 71 and hold the substrate W. In the temperature adjustment step S2, the fluid FL is supplied to the spin base 71 to adjust the temperature of the spin base 71.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】複数の基板間で処理レートが変化することを抑制できる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理方法は、温度調節工程Ｓ２と、処理工程Ｓ３とを含む。温度調節工程Ｓ２では、基板Ｗを保持して回転する基板保持部７に流体ＦＬを供給して、基板保持部７の温度を調節する。処理工程Ｓ３では、基板Ｗを処理液によって処理する。基板保持部７は、回転するスピンベース７１と、複数のチャック部材７０とを含む。複数のチャック部材７０は、スピンベース７１に設けられ、基板Ｗを保持する。温度調節工程Ｓ２では、スピンベース７１に流体ＦＬを供給して、スピンベース７１の温度を調節する。【選択図】図３