HEAT TREATMENT METHOD AND HEAT TREATMENT APPARATUS

• Main Authors: UEDA AKIMINE, TANIMURA HIDEAKI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 26.09.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus in which impurity injected into a substrate can be accurately diffused to a specified depth and activated.SOLUTION: A semiconductor wafer into which impurity is injected is irradiated with light from a halogen lamp, and temperature of the semiconductor wafer is raised to a target temperature T1. Subsequently, light irradiation from the halogen lamp is continued to maintain the semiconductor wafer at the target temperature T1 for predetermined time, by which impurity is accurately diffused to a specified depth. Then, by turning the halogen lamp off or reducing the intensity of light irradiated with from the halogen lamp, the temperature of the semiconductor wafer is dropped from the target temperature. By irradiating the surface of the semiconductor wafer with flash light from the flash lamp while the temperature of the semiconductor wafer drops, only activation of impurity is performed while completely suppressing further diffusion of impurity.SELECTED DRAWING: Figure 8 【課題】基板に注入された不純物を規定の深さに精度良く拡散させて活性化することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。【解決手段】不純物が注入された半導体ウェハーにハロゲンランプから光照射を行って半導体ウェハーを目標温度Ｔ１にまで昇温する。続いて、ハロゲンランプからの光照射を継続して半導体ウェハーを目標温度Ｔ１に所定時間維持することにより、不純物を規定の深さにまで精度良く拡散させる。その後、ハロゲンランプを消灯またはハロゲンランプから照射される光の強度を低下させることによって半導体ウェハーを目標温度から降温させる。半導体ウェハーが降温している途中で半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射することによって、不純物のさらなる拡散を完全に抑制しつつ不純物の活性化のみを行う。【選択図】図８