SOLID-STATE IMAGING APPARATUS AND CAMERA SYSTEM

• Main Authors: TAKEDA TOSHIFUMI, YADORI SHOJI, TANIGUCHI YASUHIRO, YANAGISAWA KAZUMASA, OKUYAMA KOSUKE
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 22.07.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a solid-state imaging apparatus and a camera system, capable of recording a still image, without using a recording medium.SOLUTION: In the pixel P of an image sensor, a storage element 39 having the function of a selection transistor is provided together with a photodiode 35, a transfer transistor 36, a reset transistor 37, and an amplification transistor 38. In the storage element 39, a memory transistor MT is formed in an integral structure together with a drain side selection transistor DST and a source side selection transistor SST. The memory transistor MT stores the charge of the quantity corresponding to the light receiving quantity of the photodiode 35 in a charge storage layer 42 by applying a write-in voltage to a memory gate electrode 41 as a gate voltage.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】記録媒体を用いることなく静止画像を記録できる固体撮像装置及びカメラシステムを提供することを目的とする。【解決手段】イメージセンサの画素Ｐには、フォトダイオード３５、転送トランジスタ３６、リセットトランジスタ３７、増幅トランジスタ３８とともに、選択トランジスタの機能を有する記憶素子３９が設けられている。記憶素子３９は、ドレイン側選択トランジスタＤＳＴ、ソース側選択トランジスタＳＳＴとともにメモリトランジスタＭＴが一体的な構造で形成されている。メモリトランジスタＭＴは、書き込み電圧がゲート電圧としてメモリゲート電極４１に印加されることにより、フォトダイオード３５の受光量に応じた量の電荷を電荷蓄積層４２に蓄積する。【選択図】図３