SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: TAKEMURA YASUHIKO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 18.07.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

To provide a semiconductor memory device storing data by using a write transistor whose leak current between a source and a drain at off status is low.SOLUTION: In a matrix formed by using a plurality of memory cells in which a drain of a write-in transistor WTr (n, m), a gate of a read-out transistor RTr (n, m), and one electrode of a capacitor C (n, m) are connected, the gate of the write-in transistor is connected to a write-in word line Qn, the source of the write-in transistor and the source of the read-out transistor are connected to a bit line Rm, and the drain of the read-out transistor is connected to a bias line Sn. Here, conductivity types of the write-in transistor and the read-out transistor are different. In order to increase a degree of integration, the bias lines Sn may be replaced by the read-out word line in the other row, or a storage cell may be connected in series to form a NAND structure, and the read-out word line and the write-in word line may be shared.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】オフ状態のソース、ドレイン間のリーク電流の低いトランジスタを書き込みトランジスタに用いて、データを保存する半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】書き込みトランジスタＷＴｒ（ｎ，ｍ）のドレインと読み出しトランジスタＲＴｒ（ｎ，ｍ）のゲートとキャパシタＣ（ｎ，ｍ）の一方の電極を接続した記憶セルを複数用いて形成されたマトリクスにおいて、書き込みトランジスタのゲートを書き込みワード線Ｑｎに、書き込みトランジスタのソース及び読み出しトランジスタのソースをビット線Ｒｍに、読み出しトランジスタのドレインをバイアス線Ｓｎに接続する。ここで、書き込みトランジスタと読み出しトランジスタの導電型を異なるものとする。集積度を高めるために、バイアス線Ｓｎを他行の読み出しワード線で代用したり、記憶セルを直列に接続し、ＮＡＮＤ構造とし、読み出しワード線と書き込みワード線を共用してもよい。【選択図】図１