GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device in which the impact of polarization, generating a p-type part and an n-type part in an AlGaN layer due to change of Al composition in the AlGaN layer, is reduced while improving light extraction efficiency, and to provide a manufactu...

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Main Authors IIDA KAZUYOSHI, KAMIYAMA SATOSHI, KOJIMA HISANORI, AKASAKI ISAMU, TAKEUCHI TETSUYA, YASUDA TOSHIKI, IWATANI MOTOAKI
Format Patent
LanguageEnglish
Japanese
Published 06.06.2019
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Summary:To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device in which the impact of polarization, generating a p-type part and an n-type part in an AlGaN layer due to change of Al composition in the AlGaN layer, is reduced while improving light extraction efficiency, and to provide a manufacturing method thereof.SOLUTION: A first p-type contact layer 160 is a p-type AlGaN layer. A second p-type contact layer 170 is a p-type AlGaN layer. Al composition in the first p-type contact layer 160 becomes smaller with the distance from a luminous layer 140. Al composition in the second p-type contact layer 170 becomes smaller with the distance from the luminous layer 140. Al composition in the second p-type contact layer 170 is smaller than the Al composition in the first p-type contact layer 160. Rate of change of Al composition for unit film thickness in the second p-type contact layer 170 is larger than the rate of change of Al composition for unit film thickness in the first p-type contact layer 160.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】 AlGaN層におけるAl組成の変化に起因してAlGaN層の内部にp型化した部分とn型化した部分とが発生する分極の影響を低減するとともに、光取り出し効率の向上を図ったIII 族窒化物半導体発光素子とその製造方法を提供することである。【解決手段】 第1のp型コンタクト層160は、p型AlGaN層である。第2のp型コンタクト層170は、p型AlGaN層である。第1のp型コンタクト層160におけるAl組成は、発光層140から遠ざかるほど小さい。第2のp型コンタクト層170におけるAl組成は、発光層140から遠ざかるほど小さい。第2のp型コンタクト層170におけるAl組成は、第1のp型コンタクト層160におけるAl組成よりも小さい。第2のp型コンタクト層170における単位膜厚に対するAl組成の変化率は、第1のp型コンタクト層160における単位膜厚に対するAl組成の変化率よりも大きい。【選択図】図2
Bibliography:Application Number: JP20170217383