GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: IIDA KAZUYOSHI, KAMIYAMA SATOSHI, KOJIMA HISANORI, AKASAKI ISAMU, TAKEUCHI TETSUYA, YASUDA TOSHIKI, IWATANI MOTOAKI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 06.06.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device in which the impact of polarization, generating a p-type part and an n-type part in an AlGaN layer due to change of Al composition in the AlGaN layer, is reduced while improving light extraction efficiency, and to provide a manufacturing method thereof.SOLUTION: A first p-type contact layer 160 is a p-type AlGaN layer. A second p-type contact layer 170 is a p-type AlGaN layer. Al composition in the first p-type contact layer 160 becomes smaller with the distance from a luminous layer 140. Al composition in the second p-type contact layer 170 becomes smaller with the distance from the luminous layer 140. Al composition in the second p-type contact layer 170 is smaller than the Al composition in the first p-type contact layer 160. Rate of change of Al composition for unit film thickness in the second p-type contact layer 170 is larger than the rate of change of Al composition for unit film thickness in the first p-type contact layer 160.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】 ＡｌＧａＮ層におけるＡｌ組成の変化に起因してＡｌＧａＮ層の内部にｐ型化した部分とｎ型化した部分とが発生する分極の影響を低減するとともに、光取り出し効率の向上を図ったIII 族窒化物半導体発光素子とその製造方法を提供することである。【解決手段】 第１のｐ型コンタクト層１６０は、ｐ型ＡｌＧａＮ層である。第２のｐ型コンタクト層１７０は、ｐ型ＡｌＧａＮ層である。第１のｐ型コンタクト層１６０におけるＡｌ組成は、発光層１４０から遠ざかるほど小さい。第２のｐ型コンタクト層１７０におけるＡｌ組成は、発光層１４０から遠ざかるほど小さい。第２のｐ型コンタクト層１７０におけるＡｌ組成は、第１のｐ型コンタクト層１６０におけるＡｌ組成よりも小さい。第２のｐ型コンタクト層１７０における単位膜厚に対するＡｌ組成の変化率は、第１のｐ型コンタクト層１６０における単位膜厚に対するＡｌ組成の変化率よりも大きい。【選択図】図２