MEMORY DEVICE INCLUDING WORD LINE DEFECT DETECTION CIRCUIT AND DRIVING METHOD THEREOF

• Main Authors: KIM SU-YONG, LEE JAE-YUN, KIM BYOUNG-SOO, LEE KANG-BIN, CHOI NA-YOUNG, KWON JOON SOO, LEE SOKUN, PARK SANG-SOO, PARK IL HAN
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 23.05.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

To provide a memory device that improves reliability and operational performance for storing data.SOLUTION: A non-volatile memory device 100 includes: a memory cell array having a first memory cell disposed on a substrate, a first word line connected to the first memory cell, a second memory cell disposed on an upper part of the first memory cell, and a second word line disposed on an upper part of the first word line and connected to the second memory cell, in which a first voltage is applied to the first word line and the first memory cell is programmed after the first voltage is applied to the second word line and the second memory cell is programmed; and a word line defect detection circuit monitoring a pumping clock signal to detect a defect in the first word line while applying a second voltage different from the first voltage to the first word line.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】データ保存の信頼性及び動作性能が向上したメモリ装置を提供する。【解決手段】不揮発性メモリ装置１００は、基板上に配置された第１メモリセルと、第１メモリセルに接続された第１ワードラインと、第１メモリセルの上部に配置された第２メモリセルと、第１ワードラインの上部に配置され、第２メモリセルに接続された第２ワードラインとを含むメモリセルアレイであって、第２ワードラインに第１電圧が印加されて第２メモリセルがプログラムされた後、第１ワードラインに第１電圧が印加されて第１メモリセルがプログラムされるメモリセルアレイと、第１ワードラインに第１電圧とは異なる第２電圧を印加する間にポンピングクロック信号をモニタリングして第１ワードラインの欠陥を検出するワードライン欠陥検出回路を含む。【選択図】図２