SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

• Main Author: HARADA YOSHIKAZU
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 16.05.2019
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

To accelerate write operation of a semiconductor memory device.SOLUTION: A semiconductor memory device 10 of an embodiment comprises a plurality of memory cells, a word line connected to the plurality of memory cells, a plurality of bit lines respectively connected to the plurality of memory cells, and a controller. In verification operation, the controller sequentially applies first and second verification voltage to the word line, while applying the first verification voltage, applies first voltage to the bit lines connected to the memory cells to be written with first data and applies second voltage to the bit lines connected to the memory cells to be written with second data, while applying the second verification voltage, respectively applies the first voltage to a bit line connected to a memory cell passed in a verification by the first verification voltage among the memory cells to be written with the first data and the bit lines connected to the memory cells to be written with the second data.SELECTED DRAWING: Figure 7 【課題】半導体記憶装置の書き込み動作を高速化する。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置１０は、複数のメモリセルと、複数のメモリセルに接続されたワード線と、複数のメモリセルにそれぞれ接続された複数のビット線と、コントローラとを含む。コントローラは、ベリファイ動作において、ワード線に第１及び第２ベリファイ電圧を順に印加し、第１ベリファイ電圧を印加している間に、第１データを書き込むべきメモリセルに接続されたビット線に第１電圧を印加し、且つ第２データを書き込むべきメモリセルに接続されたビット線に第２電圧を印加し、第２ベリファイ電圧を印加している間に、第１データを書き込むべきメモリセルのうち、第１ベリファイ電圧によるベリファイにパスしたメモリセルに接続されたビット線と、第２データを書き込むべきメモリセルに接続されたビット線とにそれぞれ第１電圧を印加する。【選択図】図７