DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: KUAH TENG HOCK, SONG KENG YEW, LIAO JIAN, YAN KAR WENG, DING JIAPEI, BIN YUAN, DEIVASIGAMANI MOULEESWARAN
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 04.04.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a device for processing a semiconductor device.SOLUTION: A device 1 includes a first tool 100 including a stress constituent, a guide 150, and a spacer 120 moving in the guide 150. A gap 118 is defined between the spacer 120 and the, and can tilt the spacer 120 for the guide 150. The device also includes a second tool 200 for holding a semiconductor device, and the first and second tools can mutually move between non-coupling state and coupling state. The spacer 120 is close to a pressure application constituent, and in the coupling state, the pressure application constituent applies a force, as the first pressure, to a first portion. Furthermore, the spacer 120 is a second portion remote from the pressure application constituent, and in the coupling state, close to a semiconductor device 400, and transmits a force from the pressure application constituent, as a second pressure, to the semiconductor device 400.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】半導体デバイスを加工するための装置を提供する。【解決手段】装置１は、圧力構成要素と、ガイド１５０と、ガイド１５０内で移動可能なスペーサー１２０と、を含む第１のツール１００を含む。ギャップ１１８は、スペーサー１２０とガイド１５０との間に画定され、スペーサー１２０を、ガイド１５０に対して傾斜可能である。装置はまた、半導体デバイスを保持するための第２のツール２００を含み、第１及び第２のツールは、非結合状態と結合状態との間で互いに対して移動可能である。スペーサー１２０は、圧力印加構成要素に近く、結合状態において、圧力印加構成要素が第１の圧力としての力を、第１の部分に印加する。スペーサー１２０はまた、圧力印加構成要素から遠い第２の部分であって、結合状態において、半導体デバイス４００に近く、圧力印加構成要素からの力を第２の圧力として半導体デバイス４００に伝達する。【選択図】図１