PRODUCTION METHOD OF PZT THIN FILM LAMINATE

• Main Authors: TSUYUKI TATSURO, JINBO TAKETO, KOBAYASHI HIROKI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 04.04.2019
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

To provide a technology capable of improving a dielectric voltage and a fatigue-resistant characteristic under a high temperature environment, concerning a PZT thin film layer formed by sputtering.SOLUTION: A substrate having a platinum electrode layer 5 provided through a TiOlayer 4 on a silicon substrate 10, and a buffer layer 6 provided on the platinum electrode layer 5 is prepared. A PZT thin film layer 7 is formed by sputtering on the buffer layer 6 by using a PZT target doped with yttrium. Preferably, a doping amount of yttrium in the PZT target is 0.1 atom% or more and 5 atm% or less to PZT 100 atom%.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】スパッタリングによって形成されるＰＺＴ薄膜層において、高温環境下における絶縁耐圧及び耐疲労特性を向上させる技術を提供する。【解決手段】シリコン基板１０上に、ＴｉＯX層４を介して設けられた白金電極層５と、白金電極層５上に設けられたバッファ層６とを有する基板を用意する。イットリウムをドープしたＰＺＴターゲットを用い、バッファ層６上にスパッタリングによってＰＺＴ薄膜層７を形成する。ＰＺＴターゲットにおけるイットリウムのドープ量は、ＰＺＴ１００atm％に対して０．１atm％以上５atm％以下とすることが好ましい。【選択図】 図１