PULSE PLASMA CHAMBER OF DUAL CHAMBER CONFIGURATION

• Main Authors: ALEXEI MARAKHTANOV, ANDREW D BAILEY III, DHINDSA RAJINDER, HUDSON ERIC
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 28.03.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a pulse plasma chamber of a dual chamber configuration for achieving desired plasma processing conditions.SOLUTION: A semiconductor wafer processing device is configured by a dual chamber separated by a plate that makes an upper chamber 414 fluid-communicate with a lower chamber 420. The semiconductor wafer processing device can be operated so as to set a voltage and a frequency of a first radio frequency (RF) power source connected with the upper electrode in the upper chamber, and to set a voltage, a frequency, a sustained time of an ON period, the sustained time of an OFF period of a pulse RF signal generated by a second RF power source connected with the lower electrode in the lower chamber. A system controller controls a flow of seeds that flows from the upper chamber to the lower chamber via the plate while the chamber operates. The flow of seeds supports negative ion etching, neutralization of excess positive charges on a wafer surface during afterglow during an OFF period, and re-ignition of plasma in the lower chamber during an ON period.SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】所望のプラズマ処理条件を達成するためのデュアルチャンバ構成のパルスプラズマチャンバを提供する。【解決手段】半導体ウエハ処理装置は、上側チャンバ４１４を下側チャンバ４２０に流体連通させるプレートによって隔てられたデュアルチャンバ構成で、上側チャンバ内の上側電極に接続された第１の高周波（ＲＦ）電源の電圧および周波数を設定、動作可能とし、下側チャンバ内の下側電極に接続された第２のＲＦ電源によって生成されるパルスＲＦ信号の電圧、周波数、オン期間の持続時間およびオフ期間の持続時間を設定するよう動作可能である。システムコントローラは、チャンバの動作中にプレートを通して上側チャンバから下側チャンバに流れる種の流れを制御する。種の流れは、陰イオンエッチングと、オフ期間のアフターグロー中のウエハ表面における過剰な正電荷の中和と、オン期間中の下側チャンバにおけるプラズマの再点火と、を支援する。【選択図】図４