SEMICONDUCTOR LASER DIODE

• Main Authors: RUMBOLZ CHRISTIAN, EICHLER CHRISTOPH, SVEN GERHARD
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 07.03.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

To provide a semiconductor laser diode of which a work voltage is not increased even when changing the width of an electric contact on a ridge.SOLUTION: A semiconductor laser diode 100 includes at least a semiconductor volume layer body 2 including a waveguide structure 9 that includes at least one active layer 3 and a wave. The wave is extended to a back surface from a light output surface in a longitudinal direction, and is defined with a wave side surface 11 in a lateral direction which is vertical to the longitudinal direction. The wave includes: a first region 910; and a second region 920 contacted to the first region in a vertical direction vertical to the longitudinal direction and a lateral direction. The wave includes a first semiconductor material in the first region 910, and includes at least one second semiconductor material different from the first semiconductor material in the second region 920. The wave includes a first width 919 in the first region 910, and includes a second width 929 larger than the first width 919 in the second region 920.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】リッジ上の電気コンタクトの幅を変化させても動作電圧が増加しない半導体レーザーダイオードを提供する。【解決手段】半導体レーザーダイオード１００は、少なくとも１つの活性層３とウェブを有するウェブ導波構造９とを有する半導体積層体２を含み、ウェブは、縦方向で光出力面から背面へ延在しており、かつ縦方向に対して垂直な横方向でウェブ側面１１によって画定されている。ここで、ウェブは、第１の領域９１０と、縦方向および横方向に対して垂直な垂直方向で第１の領域に接する第２の領域９２０とを有する。ウェブは、第１の領域９１０に第１の半導体材料を有し、第２の領域９２０に第１の半導体材料とは異なる少なくとも１つの第２の半導体材料を有する。ウェブは、第１の領域９１０では第１の幅９１９を有し、かつ第２の領域９２０では第１の幅９１９より大きい第２の幅９２９を有する。【選択図】図２