HIGH-PURITY ELECTROLYTIC COPPER

• Main Authors: TARUTANI YOSHIE, NAKAYA KIYOTAKA, ARAI ISAO, KUBOTA KENJI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 27.12.2018
• Subjects: ALLOYS; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; METALLURGY; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS; PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY ORREFINING OF METALS; PRODUCTION AND REFINING OF METALS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS

To provide a high-purity electrolytic copper containing Cu having purity of 99.9999 mass% or more excluding gas components, and 0.1 mass ppm or less of S, which can stably be produced when performing electrocrystallization by lowering electrodeposition stress and exhibit excellent handleability by suppressing the occurrence of warpage even after being separated from a cathode plate.SOLUTION: The purity of Cu excluding gas components (O, F, S, C and Cl) is 99.9999 mass% or higher containing 0.1 mass ppm or more of S and, the area ratio of a crystal having a plane orientation of (101) ±10° is less than 40% when measuring the crystal orientation on a cross section along the thickness direction by using electron backscattering diffraction.SELECTED DRAWING: None 【課題】ガス成分を除いたＣｕの純度が９９．９９９９ｍａｓｓ％以上とされるとともにＳの含有量が０．１ｍａｓｓｐｐｍ以下とされ、電析時における電着応力を低減することにより、安定して製造可能であるとともに、カソード板から剥離された後でも反りの発生が抑制されて取り扱い性に優れた高純度電気銅を提供する。【解決手段】ガス成分（Ｏ，Ｆ，Ｓ，Ｃ，Ｃｌ）を除いたＣｕの純度が９９．９９９９ｍａｓｓ％以上とされ、Ｓの含有量が０．１ｍａｓｓｐｐｍ以下とされており、厚さ方向に沿った断面において電子後方散乱回折による結晶方位測定した結果、（１０１）±１０°の面方位を有する結晶の面積率が４０％未満とされていることを特徴とする。【選択図】なし