SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM

• Main Authors: TAKAHASHI NOBUHIRO, ASADA YASUO, MATSUNAGA JUNICHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 01.11.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique to align an etching amount when a SiGe layer formed to a wafer is selectively etched with respect to at least one of a Si layer, a SiOlayer and a SiN layer.SOLUTION: When a SiGe layer 100 is etched by side etching in a wafer W that includes the SiGe layer 100 and a Si layer 101 alternately stacked therein and exposed in a recess 103, ClFgas and HF gas are simultaneously supplied to the wafer W. Accordingly, an etching rate for each SiGe layer 100 is uniformized, so that an etching amount for each SiGe layer 100 can be aligned.SELECTED DRAWING: Figure 6 【課題】ウエハに形成されたＳｉＧｅ層を、Ｓｉ層、ＳｉＯ２層及びＳｉＮ層の内の少なくとも一種に対して選択的にエッチングするにあたって、エッチング量を揃える技術を提供すること。【解決手段】交互に積層されたＳｉＧｅ層１００とＳｉ層１０１とが凹部１０３内に露出したウエハＷにおいてＳｉＧｅ層１００をサイドエッチングによりエッチングするにあたって、ウエハＷにＣｌＦ３ガスとＨＦガスとを同時に供給している。そのため各ＳｉＧｅ層１００のエッチング速度が均一になり、各ＳｉＧｅ層１００のエッチング量を揃えることができる。【選択図】図６