GAS CLUSTER PROCESSING APPARATUS AND GAS CLUSTER-PROCESSING METHOD

• Main Authors: DOBASHI KAZUYA, KANEHIRA KEITA, YOSHINO YUTAKA, KOIKE KUNIHIKO, SENOO TAKEHIKO, SOJO TADASHI, IZUMI KOICHI, SAITO YUKIMASA, ORII TAKEHIKO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 11.10.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique which allows a gas supply pressure required for gas cluster generation to be reached in a short time in substrate processing by exposing a substrate to gas clusters, and which achieves good controllability of the gas supply pressure.SOLUTION: A gas cluster processing apparatus 100 is arranged to expose a substrate S to gas clusters to perform a predetermined process on the substrate S. The gas cluster processing apparatus comprises: a process chamber 1; a gas supply part 13 for supplying gas for gas cluster generation; a massflow controller 14 which controls a flow rate of the gas supplied from the gas supply part 13; a cluster nozzle 11 which is supplied with a gas for gas cluster generation at a predetermined supply pressure, and which injects the gas into the process chamber kept in vacuum condition to turn the gas into clusters by adiabatic expansion; and a pressure control part 15 having a back pressure governor 17, and provided on a pipe 12 between the massflow controller 14 and the cluster nozzle 11, which controls a supply pressure of the gas for gas cluster generation.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】基板にガスクラスターを照射して基板処理を行う際に、短時間でガスクラスターの生成に必要なガス供給圧力に到達させることができ、かつガス供給圧力の制御性が良好な技術を提供する。【解決手段】基板Ｓにガスクラスターを照射して基板Ｓに所定の処理を行うガスクラスター処理装置１００は、処理容器１と、ガスクラスターを生成するためのガスを供給するガス供給部１３と、ガス供給部１３から供給されるガスの流量を制御するマスフローコントローラ１４と、ガスクラスターを生成するためのガスが所定の供給圧力で供給され、そのガスを真空保持された処理容器内に噴出して断熱膨張によりクラスター化させるクラスターノズル１１と、マスフローコントローラ１４とクラスターノズル１１の間の配管１２に設けられ、ガスクラスターを生成するためのガスの供給圧力を制御する、背圧制御器１７を有する圧力制御部１５とを有する。【選択図】図１