METHOD FOR MANUFACTURING SYNTHETIC DIAMOND
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for increasing the growth rate of a diamond when obtaining a synthetic diamond using a CVD method.SOLUTION: In the method for manufacturing a synthetic diamond, capable of manufacturing the synthetic diamond by a chemical vapor phase deposition method using...
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Format | Patent |
Language | English Japanese |
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05.07.2018
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Summary: | PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for increasing the growth rate of a diamond when obtaining a synthetic diamond using a CVD method.SOLUTION: In the method for manufacturing a synthetic diamond, capable of manufacturing the synthetic diamond by a chemical vapor phase deposition method using a H source gas, a C source gas and a N source gas as a raw material gas, a NFgas is used as the N source gas. The raw material gas preferably includes the H source gas of 50-99.99 vol% to the total amount of the raw material gas, the C source gas of 0.01-50 vol% to the H source gas and a NFgas of 0.001-1 vol% to the C source gas.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】本発明は、CVD法を用いて合成ダイヤモンドを得る際に、ダイヤモンドの成長速度を速める手法を得ることを目的とした。【解決手段】原料ガスとして、H源ガス、C源ガス、及びN源ガスを用いて、化学気相成長法によって合成ダイヤモンドを製造する合成ダイヤモンドの製造方法において、該N源ガスとして、NF3ガスを用いることを特徴とする合成ダイヤモンドの製造方法であり、好ましくは、前記原料ガスが、原料ガスの全量に対してH源ガスを50〜99.99vol%、H源ガスに対して、C源ガスを0.01〜50vol%、及び該C源ガスに対して、NF3ガスを0.001〜1vol%、含有することを特徴とする。【選択図】図1 |
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Bibliography: | Application Number: JP20170240098 |