SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: YAMAGUCHI NATSUO, TANIGUCHI DAISUKE, ABIKO YUYA, EGUCHI SOJI, SAITO SHIGEAKI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 15.03.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve properties of a semiconductor device.SOLUTION: In a semiconductor device having a super junction structure where p-type column regions PC1 and n-type column regions NC1 are periodically arranged, each n-type column region NC1 has a vertical part composed of an epitaxial layer NE located between trenches DT1 and tapered embedded n-type epitaxial films ENE arranged on lateral faces of the trench DT1; and each p-type column region PC1 is composed of an embedded p-type epitaxial film EPE arranged in the trench DT1. As described above, by providing the tapered embedded n-type epitaxial films n sidewalls of the trench DT1 where the p-type column region PC1 is arranged, the p-type column region PC1 can be formed in an inverted trapezoidal shape thereby to improve a margin for variation in p-type impurity concentration of the p-type column region PC1. Additionally, due to transverse diffusion of an n-type impurity (e.g., As), on-resistance can be reduced.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】半導体装置の特性を向上させる。【解決手段】ｐ型カラム領域ＰＣ１とｎ型カラム領域ＮＣ１とが周期的に配置されたスーパージャンクション構造を有する半導体装置を次のように構成する。ｎ型カラム領域ＮＣ１は、溝ＤＴ１間に位置するｎ型のエピタキシャル層ＮＥよりなる垂直部と、溝ＤＴ１の側面に配置されたテーパ状の埋め込みｎ型エピタキシャル膜ＥＮＥと、を有し、ｐ型カラム領域ＰＣ１は、溝ＤＴ１中に配置された埋め込みｐ型エピタキシャル膜ＥＰＥよりなる。このように、ｐ型カラム領域ＰＣ１が配置される溝ＤＴ１の側壁に、テーパ状の埋め込みｎ型エピタキシャル膜ＥＮＥを設けることにより、ｐ型カラム領域ＰＣ１を逆台形状とすることができ、ｐ型カラム領域ＰＣ１のｐ型不純物濃度のバラツキに対するマージンを向上することができる。また、ｎ型不純物（例えば、Ａｓ）の横方向拡散により、オン抵抗の低減を図ることができる。【選択図】図２