SEMICONDUCTOR PHYSICAL QUANTITY SENSOR DEVICE

• Main Authors: NISHIKAWA MUTSUO, MATSUNAMI KAZUHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 21.12.2017
• Subjects: AMPLIFIERS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor physical quantity sensor device which can maintain current capability at normal operation and can suppress a current which flows between terminals at a short circuit.SOLUTION: A junction 6 of an output circuit 5 which connects between a first and a second output element 1, 2 in a manner to mutually compensate is connected to an output terminal 103. A first switching element 3 is connected between the first output element 1 and the junction 6 of the output circuit 5. A second switching element 4 is connected between the second output element 2 and the junction 6 of the output circuit 5. The first switching element 3 is switched off when a voltage Vout of the output terminal 103 is a voltage Vref0 which is lower than a lower-limit clamp voltage (voltage Vref1). The second switching element 4 is switched off when the voltage Vout of the output terminal 103 is a voltage Vref3 which is higher than an upper-limit clamp voltage (voltage Vref2).SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】正常動作時の電流能力を維持することができるとともに、端子間での短絡時に流れる電流を抑制することができる半導体物理量センサ装置を提供すること。【解決手段】第１，２出力素子１，２を相補うように接続してなる出力回路５の接続点６は、出力端子１０３に接続されている。第１出力素子１と出力回路５の接続点６との間に、第１スイッチング素子３が接続されている。第２出力素子２と出力回路５の接続点６との間に、第２スイッチング素子４が接続されている。出力端子１０３の電圧Ｖｏｕｔが下限のクランプ電圧（電圧Ｖｒｅｆ１）よりも低い電圧Ｖｒｅｆ０であるときに、第１スイッチング素子３がオフする。出力端子１０３の電圧Ｖｏｕｔが上限のクランプ電圧（電圧Ｖｒｅｆ２）よりも高い電圧Ｖｒｅｆ３であるときに、第２スイッチング素子４がオフする。【選択図】図１