WRAP-AROUND CONTACT INTEGRATION SCHEME

• Main Authors: KANDABARA N TAPILY, CLARK ROBERT D
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 30.11.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wrap-around contact integration scheme that includes sidewall protection during contact formation.SOLUTION: A substrate processing method includes providing a substrate containing a raised contact 216 in a first dielectric film 200, and a second dielectric film 202 on the first dielectric film, where the second dielectric film 202 has a recessed feature 204 with a sidewall and a bottom portion above the raised contact. The method further includes depositing a conformal film on the sidewall and on the bottom portion of the recessed feature 204, removing the conformal film from the bottom portion in a first anisotropic etching process, where the remaining conformal film forms a protection film 214 on the sidewall and defines a width 209 of the recessed feature, and forming a cavity 210 containing the raised contact in an isotropic etching process, where a width 213 of the cavity is greater than the width 209 of the recessed feature 204.SELECTED DRAWING: Figure 2E 【課題】接点形成中の側壁保護を含むラップアラウンド接点集積方式を提供する。【解決手段】基板処理方法は、第１誘電膜２００内の隆起した接点２１６及び前記第１誘電膜上の第２誘電膜２０２を含む基板を提供するステップであって、前記第２誘電膜２０２は、側壁及び底部を有する凹状フィーチャ２０４を前記隆起した接点の上方に備える、ステップを含む。方法はさらに、凹状フィーチャ２０４の側壁及び底部上にコンフォーマル膜を堆積するステップと、第１異方性エッチングプロセスにおいて、底部からコンフォーマル膜を除去するステップであって、残ったコンフォーマル膜は側壁上の保護膜２１４を形成し、凹状フィーチャの幅２０９を確定する、ステップと、等方性エッチングプロセスにおいて、隆起した接点を含む空洞２１０を形成するステップであって、空洞の幅２１３は凹状フィーチャ２０４の幅２０９よりも大きい、ステップと、を含む。【選択図】図２Ｅ