SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

• Main Author: YAMAMOTO SHIGEHISA
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 26.10.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology capable of effectively removing a semiconductor chip having a leakage component caused by crystal defects, even for a large-area semiconductor chip.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a drift layer (9) of a first conductivity type that has an effective region where a plurality of cells are provided; and an electrode part provided in the effective region on an upper surface of the drift layer (9). The electrode part has: a plurality of first electrode layers (13) provided on the upper surface of the drift layer (9) with a gap; and a second electrode layer (14) provided so as to cover the gap and an upper surface of the plurality of first electrode layers (13).SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】本願明細書に開示される技術は、大面積の半導体チップであっても、結晶欠陥に起因するリーク成分を有するものを効果的に除去することができる技術に関するものである。【解決手段】本技術に関する半導体装置は、複数のセルが設けられる有効領域を有する第１の導電型のドリフト層（９）と、ドリフト層（９）の上面における、有効領域に設けられる電極部とを備え、電極部は、ドリフト層（９）の上面に設けられ、かつ、隙間をあけて設けられる、複数の第１の電極層（１３）と、隙間、および、複数の第１の電極層（１３）の上面を覆って設けられる第２の電極層（１４）とを有するものである。【選択図】図１