PATTERN TRIMMING METHOD

• Main Authors: CHENG BAI SU, LIU KONG, IRVINDER KAUR, PARK JONG-KEUN, KEVIN ROWELL
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 14.09.2017
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoresist pattern trimming method and a composition, by which a fine lithographic pattern with controllably reduced resist pattern dimensions can be produced.SOLUTION: The photoresist trimming method comprises: (a) providing a semiconductor substrate; (b) forming a photoresist pattern over the semiconductor substrate from a photoresist composition comprising a first polymer containing an acid-labile group, and a photoacid generator; (c) coating the photoresist pattern with a pattern trimming composition comprising a second polymer and a solvent system containing a monoether solvent by 50 wt.% or more; (d) heating the coated semiconductor substrate to induce changes in the solubility of a surface region of the photoresist pattern in a rinsing agent to be applied; and (e) bringing the photoresist pattern into contact with a rinsing agent to remove the surface region of the photoresist pattern, thereby forming a trimmed photoresist pattern.SELECTED DRAWING: None 【課題】レジストパターン寸法が制御可能に縮小された、微細リソグラフィーパターンを生成することが可能となる、フォトレジストパターントリミング方法及び組成物を提供する。【解決手段】（ａ）半導体基板を提供すること、（ｂ）半導体基板の上に、酸不安定基を含む第１のポリマーと、光酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物からフォトレジストパターンを形成すること、（ｃ）フォトレジストパターンの上に、第２のポリマーと５０重量％以上のモノエーテル溶媒を含む溶媒系とを含有するパターントリミング組成物をコーティングすること、（ｄ）コーティングされた半導体基板を加熱し、適用されるリンス剤中でのフォトレジストパターンの表面領域の溶解度に変化を引き起こすこと、（ｅ）フォトレジストパターンをリンス剤と接触させてパターンの表面領域を除去し、トリミングされたフォトレジストパターンを形成することを含むフォトレジストトリミング方法。【選択図】なし