STRETCHABLE FORM OF SINGLE CRYSTAL SILICON FOR HIGH PERFORMANCE ELECTRONICS ON RUBBER SUBSTRATE

• Main Authors: SUN YUGANG, ROGERS JOHN A, DAL-YAN KANG, MENARD ETIENNE
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 08.06.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stretchable, and optionally printable, semiconductor and an electronic circuit capable of providing good performance when stretched, compressed, flexed or otherwise deformed.SOLUTION: A first step (top frame in the figure) includes photolithography to define a resist layer on a silicon-on-insulator wafer, followed by etching to remove an exposed part of the top silicon. After removing the resist with acetone, a buried SiOlayer is etched with concentrated hydrofluoric acid to release ribbons from an underlying Si substrate. In the next step (middle frame in the figure), a flat elastomeric substrate is elastically stretched and then brought into conformal contact with the ribbons. By peeling the substrate, the ribbons are lifted from the wafer to release strains of the substrate, which leads to surface deformation to form well-defined waves in Si and on the substrate surface.SELECTED DRAWING: Figure 10 【課題】伸張、圧縮、屈曲または他の方法で変形された場合に良好なパフォーマンスを提供可能な、伸縮可能かつ場合によって印刷可能な、半導体および電子回路を提供する。【解決手段】上フレームは、シリコンオンインシュレータウエハー上にレジスト層を規定するためのフォトリソグラフィを含み、頂部Ｓｉの露出部分を除去するためのエッチングがこれに続く。アセトンで除去したら、次に埋め込みＳｉＯ２層を濃フッ酸でエッチングし、下地のＳｉ基板からリボンを分離する。中央フレームでは、平坦なエラストマー基板が弾性的に伸長されてリボンと共形接触される。基板を剥離することにより、ウエハーからリボンを浮かせて基板の前歪みを解放することによって表面が変形して明瞭に規定された波がＳｉおよび基板表面に形成される。【選択図】図１０