SEMICONDUCTOR POWER MODULE AND MOBILE

• Main Authors: KUSHIMA TAKAYUKI, YOSHIDA ISAMU
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 06.04.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress damage on an insulating substrate when connecting the wiring on the insulating substrate and a lead by ultrasonic connection, in a semiconductor power module and a mobile.SOLUTION: In a lead 5 of a semiconductor power module, a connected part 5a has a first region 5b located on an end 5e side, and a second region 5c located on a bend 5d side. The first region 5b in the connected part 5a is connected directly with a wiring pattern 3, and the second region 5c is connected with the wiring pattern 3 via an Ni layer 11. Since the Ni layer 11 is interposed between the wiring pattern 3 and itself, in the second region 5c located on the bend 5d side, application of a pressure to an insulating substrate 2 below the bend 5d can be relaxed when supersonic wave is applied at the time of lead connection, and formation of a damaged part on the insulating substrate 2 can be reduced.SELECTED DRAWING: Figure 7 【課題】半導体パワーモジュールおよび移動体において、超音波接続で絶縁基板上の配線とリードとを接続する際の絶縁基板の損傷を抑止する。【解決手段】半導体パワーモジュールのリード５において、被接続部５ａは、端部５ｅ側に位置する第１領域５ｂと、屈曲部５ｄ側に位置する第２領域５ｃとを有している。そして、被接続部５ａにおける第１領域５ｂは、配線パターン３と直接接続しており、第２領域５ｃは、Ｎｉ層１１を介して配線パターン３と接続している。これにより、屈曲部５ｄ側に位置する第２領域５ｃは、配線パターン３との間にＮｉ層１１が介在されているため、リード接続の際の超音波印加時に屈曲部５ｄの下方の絶縁基板２に圧力が付与されることを緩和することができ、絶縁基板２に損傷部が形成されることを低減できる。【選択図】図７