SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce power consumption; and provide an integrated semiconductor device; and provide a highly reliable semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device has a sample hold circuit and a first circuit. The first circuit has an amplifier; and the sample hold circuit has a...

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Main Author SHIONOIRI YUTAKA
Format Patent
LanguageEnglish
Japanese
Published 16.03.2017
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Summary:PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce power consumption; and provide an integrated semiconductor device; and provide a highly reliable semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device has a sample hold circuit and a first circuit. The first circuit has an amplifier; and the sample hold circuit has a buffer circuit, a first transistor with a channel length not less than 1 nm and not more than 500 nm, a second transistor, a first capacitive element and a second capacitive element. One of a source and a drain of the first transistor is electrically connected with one electrode of the first capacitive element, one electrode of the second capacitive element and one of a source and a drain of the second transistor. The first transistor has a function of retaining charge in one of the source and the drain of the first transistor by being turned off. The buffer circuit has a function of being subjected to stoppage of power voltage supply after retaining charge.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】消費電力を低減する。または、集積化された半導体装置を提供する。または、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】サンプルホールド回路と、第1の回路と、を有し、第1の回路は、増幅器を有し、サンプルホールド回路は、バッファ回路と、チャネル長は1nm以上500nm以下の第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1の容量素子と、第2の容量素子と、を有する半導体装置である。第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、第1の容量素子の一方の電極、第2の容量素子の一方の電極、および第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方、と電気的に接続される。第1のトランジスタは、オフすることにより第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方に電荷を保持する機能を有し、バッファ回路は、電荷を保持した後に、電源電圧の供給が停止される機能を有する。【選択図】図1
Bibliography:Application Number: JP20150179572