ETCHING METHOD

• Main Authors: SUGIMOTO MASARU, KIMURA SOICHIRO, HIDAKA AKIRA
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 12.01.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of selectively etching a first region made of silicon oxide with respect to a second region made of silicon nitride.SOLUTION: The method of an embodiment includes executing a first sequence one or more times and executing a second sequence one or more times. In the first sequence, a deposit containing fluorocarbon is formed on the workpiece and then the first region is etched by radicals of the fluorocarbon in the deposit. In the second sequence, a deposit containing fluorocarbons is formed on the workpiece, the deposit is then reduced by active species of oxygen and the first region is further etched by the active species generated from the inert gas.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】酸化シリコンから構成された第１領域を窒化シリコンから構成された第２領域に対して選択的にエッチングする方法が提供される。【解決手段】一実施形態の方法は、第１シーケンスを一回以上実行する工程と、第２シーケンスを一回以上実行する工程と、を含む。第１シーケンスでは、フルオロカーボンを含む堆積物が被処理体上に形成され、次いで、堆積物中のフルオロカーボンのラジカルにより第１領域がエッチングされる。第２シーケンスでは、フルオロカーボンを含む堆積物が被処理体上に形成され、次いで、酸素の活性種により堆積物が減少され、且つ、不活性ガスから生成される活性種によって第１領域が更にエッチングされる。【選択図】図１